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光伏及半導(dǎo)體熱場領(lǐng)域
產(chǎn)品中心
<p><strong>用途與特點(diǎn)：</strong>用于高純硅晶體生長，承載硅料和石英坩堝，抗折強(qiáng)度≥120MPa，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，裝料量提高5倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長降低成本</p>
用途與特點(diǎn)：用于高純硅晶體生長，承載硅料和石英坩堝，抗折強(qiáng)度≥120MPa，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，裝料量提高5倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長降低成本
隱藏域元素占位
<p><strong>用途與特點(diǎn)：</strong>用于高純硅晶體生長，構(gòu)建晶體生長的梯度溫場，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，長晶速率提高2倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體提升生長效率</p>
用途與特點(diǎn)：用于高純硅晶體生長，構(gòu)建晶體生長的梯度溫場，作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品，長晶速率提高2倍以上，持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體提升生長效率
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